STMicroelectronics, Darlington-transistorer-array 5 500 mA NPN 1.6 V HFE1000, 48 Ben, QFN
- RS-artikelnummer:
- 216-7883
- Tillv. art.nr:
- ULN2003TTR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
- RS-artikelnummer:
- 216-7883
- Tillv. art.nr:
- ULN2003TTR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | Darlington-transistorer-array | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 500mA | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1.6V | |
| Kapseltyp | QFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 48 | |
| Antal element per chip | 5 | |
| Minsta DC-strömförstärkning hFE | 1000 | |
| Maximal basspänning för emittern VEBO | 1.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Transistorns polaritet | NPN | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Höjd | 1.2mm | |
| Längd | 5.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | ULN2003 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp Darlington-transistorer-array | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 500mA | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1.6V | ||
Kapseltyp QFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 48 | ||
Antal element per chip 5 | ||
Minsta DC-strömförstärkning hFE 1000 | ||
Maximal basspänning för emittern VEBO 1.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Transistorns polaritet NPN | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Höjd 1.2mm | ||
Längd 5.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie ULN2003 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics ULN2003TTR är högspännings, högströms Darlington-arrays som innehåller sju Darlington-par med öppen kollektor med gemensamma emitter.
Sju Darlington per förpackning
Utgångsström 500 mA per drivrutin
Utspänning 50 V
Integrerade undertryckande dioder för induktiva belastningar
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, Darlington-transistorer-array 5 500 mA NPN 1.6 V HFE1000, 48 Ben, QFN
- Texas Instruments, Darlington-transistorer-array 7 500 mA NPN 50 V, 16 Ben, SOIC
- Texas Instruments, Darlington-transistorer-array 7 500 mA NPN 50 V, 16 Ben, TSSOP
- Texas Instruments, Darlington-transistorer-array 7 500 mA NPN 50 V, 16 Ben, PDIP
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 5 A NPN + NPN 60 V HFE1000, 3 Ben, TO-220
- Nexperia, Darlington-transistor 1 1 A NPN 45 V HFE1000, 4 Ben, UPAK
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 7 500 mA NPN 50 V HFE1000, 16 Ben, SOIC
- onsemi, Darlington-transistor 7 500 mA NPN 50 V HFE1000, 16 Ben, SOIC