onsemi AEC-Q101, Darlington-transistor 1 2 A NPN 100 V HFE200, 3 Ben, TO-252

Se alla Darlingtonpar

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

89,82 kr

(exkl. moms)

112,28 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 4 900 enhet(er) levereras från den 09 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +4,491 kr89,82 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
463-016
Tillv. art.nr:
MJD112T4G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

Darlington-transistor

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

2A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

100V

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Antal element per chip

1

Minsta DC-strömförstärkning hFE

200

Minsta arbetsstemperatur

-65°C

Maximal effektförlust Pd

20W

Transistorns polaritet

NPN

Maximal basspänning för emittern VEBO

5V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Maximal basspänning för kollektor VCBO

100V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Serie

MJD112

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.73mm

Höjd

2.38mm

Maximal kollektor-cut-off-ström

0.02mA

Fordonsstandard

AEC-Q101

NPN Darlington-transistorer, ON Semiconductor


Standards

Tillverkarens varunummer med prefixet S eller NSV är godkända för fordonsindustrin enligt AEC-Q101-standarden.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.