onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)

RS-artikelnummer:: 790-5315P
Tillv. art.nr:: MJD112-1G
Tillverkare / varumärke:: onsemi

onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)

Mängdrabatt möjlig

Price Varje (levereras i ett rör)**

5,205 kr

(exkl. moms)

6,506 kr

(inkl. moms)

Tillfälligt slut i lager – restorder för leverans när den finns i lager*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet
30 - 60	3,102 kr
75 - 135	2,937 kr
150 - 285	1,992 kr
300 +	1,889 kr

**vägledande pris

Alternativ

Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.

onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)

RS-artikelnummer: 178-4811

Var (i ett rör med 75)

5,635 kr

(exkl. moms)

7,044 kr

(inkl. moms)

RS-artikelnummer:: 790-5315P
Tillv. art.nr:: MJD112-1G
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Datasheet - MJD112-1G
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Transistor Type	NPN
Maximum Continuous Collector Current	2 A
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Package Type	IPAK (TO-251)
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Number of Elements per Chip	1
Minimum DC Current Gain	1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	4 V
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	3 V
Maximum Collector Cut-off Current	20µA
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Dimensions	6.73 x 2.38 x 6.35mm
Width	2.38mm
Height	6.35mm
Length	6.73mm
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Maximum Power Dissipation	20 W

onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Alternativ

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards