onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)

RS-artikelnummer:: 178-4811
Tillv. art.nr:: MJD112-1G
Tillverkare / varumärke:: onsemi

onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)

Mängdrabatt möjlig

Price Var (i ett rör med 75)**

5,635 kr

(exkl. moms)

7,044 kr

(inkl. moms)

465 I lager för avsändande samma dag*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet	Per Tube**
75 - 75	5,635 kr	422,625 kr
150 - 300	5,298 kr	397,35 kr
375 +	5,07 kr	380,25 kr

**vägledande pris

RS-artikelnummer:: 178-4811
Tillv. art.nr:: MJD112-1G
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Datasheet - MJD112-1G

Attribute	Value
Transistor Type	NPN
Maximum Continuous Collector Current	2 A
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Package Type	IPAK (TO-251)
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Number of Elements per Chip	1
Minimum DC Current Gain	1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	4 V
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	3 V
Maximum Collector Cut-off Current	20µA
Length	6.73mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Maximum Power Dissipation	20 W
Width	2.38mm
Height	6.35mm
Dimensions	6.73 x 2.38 x 6.35mm

onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards