Infineon, FR bipolär transistor 150 mA NPN 13 V, 4 Ben, SOT-343 NPN
- RS-artikelnummer:
- 259-1444
- Tillv. art.nr:
- BFP650FH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
74,60 kr
(exkl. moms)
93,25 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 450 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 2,984 kr | 74,60 kr |
| 125 - 225 | 2,84 kr | 71,00 kr |
| 250 - 600 | 2,536 kr | 63,40 kr |
| 625 - 1225 | 2,209 kr | 55,23 kr |
| 1250 + | 2,047 kr | 51,18 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 259-1444
- Tillv. art.nr:
- BFP650FH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | FR bipolär transistor | |
| Maximal DC-kollektorström Idc | 150mA | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 13V | |
| Kapseltyp | SOT-343 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Transistorkonfiguration | NPN | |
| Maximal basspänning för kollektor VCBO | 13V | |
| Minsta DC-strömförstärkning hFE | 110 | |
| Maximal basspänning för emittern VEBO | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 500mW | |
| Transistorns polaritet | NPN | |
| Maximal övergångsfrekvens ft | 42GHz | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 1.4mm | |
| Höjd | 0.55mm | |
| Serie | BFP | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp FR bipolär transistor | ||
Maximal DC-kollektorström Idc 150mA | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 13V | ||
Kapseltyp SOT-343 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Transistorkonfiguration NPN | ||
Maximal basspänning för kollektor VCBO 13V | ||
Minsta DC-strömförstärkning hFE 110 | ||
Maximal basspänning för emittern VEBO 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 500mW | ||
Transistorns polaritet NPN | ||
Maximal övergångsfrekvens ft 42GHz | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 1.4mm | ||
Höjd 0.55mm | ||
Serie BFP | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons SiGe:C NPN RF-transistor med hög linearitet, lågt brus, Det är lätt att använda blyfritt (RoHS-kompatibelt) standardhus med synliga ledningar.
Drivrutinsförstärkare
ISM-banden 434 och 868 MHz
1,9 GHz trådlösa telefoner
CATV LNA
Förstärkare för sändare
Utgångsstadium LNA för aktiva antenner