Infineon, FR bipolär transistor 50 mA NPN 10 V, 4 Ben, TSFP-4-1 Gemensam emitter
- RS-artikelnummer:
- 259-1430
- Distrelec artikelnummer:
- 304-40-487
- Tillv. art.nr:
- BFP520H6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
78,40 kr
(exkl. moms)
98,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 2 975 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 3,136 kr | 78,40 kr |
| 250 - 600 | 2,155 kr | 53,88 kr |
| 625 - 1225 | 2,007 kr | 50,18 kr |
| 1250 - 2475 | 1,882 kr | 47,05 kr |
| 2500 + | 1,429 kr | 35,73 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 259-1430
- Distrelec artikelnummer:
- 304-40-487
- Tillv. art.nr:
- BFP520H6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | FR bipolär transistor | |
| Maximal DC-kollektorström Idc | 50mA | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 10V | |
| Kapseltyp | TSFP-4-1 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Transistorkonfiguration | Gemensam emitter | |
| Maximal basspänning för kollektor VCBO | 10V | |
| Maximal basspänning för emittern VEBO | 1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 120mW | |
| Maximal övergångsfrekvens ft | 45GHz | |
| Transistorns polaritet | NPN | |
| Minsta DC-strömförstärkning hFE | 70 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Antal ben | 4 | |
| Längd | 2mm | |
| Serie | BFP520F | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp FR bipolär transistor | ||
Maximal DC-kollektorström Idc 50mA | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 10V | ||
Kapseltyp TSFP-4-1 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Transistorkonfiguration Gemensam emitter | ||
Maximal basspänning för kollektor VCBO 10V | ||
Maximal basspänning för emittern VEBO 1V | ||
Maximal effektförlust Pd 120mW | ||
Maximal övergångsfrekvens ft 45GHz | ||
Transistorns polaritet NPN | ||
Minsta DC-strömförstärkning hFE 70 | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Antal ben 4 | ||
Längd 2mm | ||
Serie BFP520F | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 0.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons NPN-kisel-RF-transistor. Det är olika tillämpningar som mobiltelefoner och trådlösa telefoner, DECT, tuners, FM- och RF-modem.
För lågbrusförstärkare med hög förstärkning upp till 2 GHz
För linjära bredbandsförstärkare
fT 8 GHz, NFmin 1 dB vid 900 MHz
Pb-fritt (RoHS-kompatibelt) paket