Renesas Electronics, Transistor 65 mA NPN + PNP 8 V, 16 Ben, SOIC Dubbel
- RS-artikelnummer:
- 235-5230P
- Tillv. art.nr:
- HFA3096BZ
- Tillverkare / varumärke:
- Renesas Electronics
Mängdrabatt möjlig
Antal 5 enheter (levereras i ett rör)*
658,55 kr
(exkl. moms)
823,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 456 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 5 - 9 | 131,71 kr |
| 10 + | 121,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 235-5230P
- Tillv. art.nr:
- HFA3096BZ
- Tillverkare / varumärke:
- Renesas Electronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Renesas Electronics | |
| Produkttyp | Transistor | |
| Maximal DC-kollektorström Idc | 65mA | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 8V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 150mW | |
| Transistorns polaritet | NPN + PNP | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Antal ben | 16 | |
| Längd | 9.9mm | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Serie | HFA3096 | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Renesas Electronics | ||
Produkttyp Transistor | ||
Maximal DC-kollektorström Idc 65mA | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 8V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 150mW | ||
Transistorns polaritet NPN + PNP | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Antal ben 16 | ||
Längd 9.9mm | ||
Höjd 1.75mm | ||
Serie HFA3096 | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Renesas Electronics HFA3096 is an ultra high frequency transistor array that is fabricated from the Renesas complementary bipolar UHF-1 process. The HFA3096 is an NPN-PNP combination. Access is provided to each of the terminals for the individual transistors for maximum application flexibility. Monolithic construction of these transistor arrays provides close electrical and thermal matching of the five transistors
NPN transistor (fT) 8GHz
NPN current gain (hFE) is 130
NPN early voltage (VA) is 50V
PNP transistor (fT) is 5.5GHz
PNP current gain (hFE) is 60
PNP early voltage (VA)is 20V
Noise figure (50Ω) at 1.0GHz is 3.5dB
Collector to collector leakage <1pA
Complete isolation between transistors