STMicroelectronics, Bipolär transistor 15 A NPN 100 V, 3 Ben, TO-263 Gemensam emitter
- RS-artikelnummer:
- 188-8419
- Tillv. art.nr:
- 2STBN15D100
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
118,50 kr
(exkl. moms)
148,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 11,85 kr | 118,50 kr |
| 100 - 240 | 8,893 kr | 88,93 kr |
| 250 - 490 | 8,613 kr | 86,13 kr |
| 500 - 990 | 7,538 kr | 75,38 kr |
| 1000 + | 6,16 kr | 61,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-8419
- Tillv. art.nr:
- 2STBN15D100
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | Bipolär transistor | |
| Maximal DC-kollektorström Idc | 15A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 100V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Transistorkonfiguration | Gemensam emitter | |
| Maximal basspänning för kollektor VCBO | 100V | |
| Transistorns polaritet | NPN | |
| Minsta DC-strömförstärkning hFE | 750 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal basspänning för emittern VEBO | 5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 70W | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 15.85mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp Bipolär transistor | ||
Maximal DC-kollektorström Idc 15A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 100V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Transistorkonfiguration Gemensam emitter | ||
Maximal basspänning för kollektor VCBO 100V | ||
Transistorns polaritet NPN | ||
Minsta DC-strömförstärkning hFE 750 | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal basspänning för emittern VEBO 5V | ||
Maximal effektförlust Pd 70W | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 15.85mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Enheten är tillverkad i Planar-teknik med basö-layout och monolitisk Darlington-konfiguration.
Bra hFE-linjäritet
Monolitisk Darlington-konfiguration med integrerad antiparallell kollektor-emitterdiod
Hög fT-frekvens
Användning
Linjär och omkopplingsindustriell utrustning
Relaterade länkar
- STMicroelectronics 3 Ben, TO-263 Gemensam emitter
- STMicroelectronics 3 Ben, TO-263 Gemensam emitter
- STMicroelectronics 3 Ben, TO-220AB Gemensam emitter
- Infineon 4 Ben, SOT-343 Gemensam emitter
- Infineon 4 Ben, TSFP-4-1 Gemensam emitter
- ROHM, Digital transistor SOT-416 NPN Gemensam emitter Yta
- STMicroelectronics 3 Ben, TO-263 Enkel
- STMicroelectronics 3 Ben, TO-263 Enkel
