onsemi, Digital transistor -200 V SOT-93 PNP, 3 Ben Enkel Genomgående hål

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

98,56 kr

(exkl. moms)

123,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 164 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1849,28 kr98,56 kr
20 +42,48 kr84,96 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
186-8066
Tillv. art.nr:
MJH11019G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

Digital transistor

Kapseltyp

SOT-93

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

-200V

Typ av fäste

Genomgående hål

Transistorkonfiguration

Enkel

Maximal basspänning för kollektor VCBO

150V

Maximal effektförlust Pd

150W

Transistorns polaritet

PNP

Minsta DC-strömförstärkning hFE

100

Maximal basspänning för emittern VEBO

5V dc

Maximal arbetstemperatur

150°C

Antal ben

3

Längd

15.2mm

Höjd

20.35mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
Darlington bipolär effekttransistor är utformad för användning som allmänt användbara förstärkare, lågfrekvent omkoppling och motorstyrning. MJH11017, MJH11019, MJH11021 (PNP), MJH11018, MJH11020, MJH11022 (NPN) är kompletterande enheter.

Hög DC-strömförstärkning vid 10 A DC - hFE = 400 min (alla typer)

Kollektor-sändare med upprätthållande spänning VCEO(sus) = 150 Vdc (min) MJH11018, 17 VCEO(sus) = 200 Vdc (min) – MJH11020, 19 VCEO(sus) = 250 Vdc (min) – MJH11022, 21

Låg kollektor-emittermättnadsspänning VCE(sat) = 1,2 V (typ) vid IC = 5,0 A VCE(sat) = 1,8 V (typ) vid IC = 10 A

Monolitisk konstruktion

Blyfria förpackningar finns tillgängliga

Relaterade länkar