onsemi, Transistor -800 mA PNP -60 V, 3 Ben, TO-92 Enkel
- RS-artikelnummer:
- 166-3116
- Tillv. art.nr:
- PN2907ATAR
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 längd med 2000 enheter)*
1 356,00 kr
(exkl. moms)
1 696,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 14 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2000 - 8000 | 0,678 kr | 1 356,00 kr |
| 10000 - 22000 | 0,606 kr | 1 212,00 kr |
| 24000 - 48000 | 0,591 kr | 1 182,00 kr |
| 50000 + | 0,576 kr | 1 152,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 166-3116
- Tillv. art.nr:
- PN2907ATAR
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | Transistor | |
| Maximal DC-kollektorström Idc | -800mA | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | -60V | |
| Kapseltyp | TO-92 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Maximal basspänning för kollektor VCBO | -60V | |
| Maximal övergångsfrekvens ft | 100MHz | |
| Maximal basspänning för emittern VEBO | -5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Minsta DC-strömförstärkning hFE | 75 | |
| Transistorns polaritet | PNP | |
| Maximal effektförlust Pd | 625mW | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5.2mm | |
| Höjd | 21.77mm | |
| Bredd | 4.19 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp Transistor | ||
Maximal DC-kollektorström Idc -800mA | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo -60V | ||
Kapseltyp TO-92 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Maximal basspänning för kollektor VCBO -60V | ||
Maximal övergångsfrekvens ft 100MHz | ||
Maximal basspänning för emittern VEBO -5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Minsta DC-strömförstärkning hFE 75 | ||
Transistorns polaritet PNP | ||
Maximal effektförlust Pd 625mW | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5.2mm | ||
Höjd 21.77mm | ||
Bredd 4.19 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PNP-transistorer med liten signal, 60 till 160 V, Fairchild Semiconductor
Bipolära transistorer, Fairchild Semiconductor
Det breda sortimentet av bipolära kopplingstransistorer (BJT) ger kompletta lösningar för olika kretstillämpningar. Innovativa förpackningar är utformade för minimal storlek, högsta tillförlitlighet och maximal termisk prestanda.