STMicroelectronics TN2010H-6G, Thyristor 600V, 12.7A 10mA

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

106,96 kr

(exkl. moms)

133,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 11 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4010,696 kr106,96 kr
50 - 9010,058 kr100,58 kr
100 - 2409,498 kr94,98 kr
250 - 4908,994 kr89,94 kr
500 +8,579 kr85,79 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
192-5040
Tillv. art.nr:
TN2010H-6G
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

STMicroelectronics

Rated Average On-State Current

12.7A

Thyristor Type

SCR

Package Type

D2PAK

Repetitive Peak Reverse Voltage

600V

Surge Current Rating

180A

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Gate Trigger Current

10mA

Maximum Gate Trigger Voltage

1.3V

Maximum Holding Current

40mA

Pin Count

3

Dimensions

10.28 x 9.35 x 4.6mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

COO (Country of Origin):
CN
This device offers high thermal performance during operation of up to 20 ARMS, thanks to a junction temperature of up to 150 °C. Its D²PAK package allows modern SMD designs as well as compact back to back configuration.The combination of noise immunity and low gate triggering current allows to design strong and compact control circuits.

High junction temperature: Tj = 150 °C
High noise immunity dV/dt = 400 V/μs up to 150 °C
Gate triggering current IGT = 10 mA
Peak off-state voltage VDRM/VRRM = 600 V
High turn on current rise dI/dt = 100 A/μs

relaterade länkar