Vishay 650 V 10 A Diode Schottky 3-Pin TO-220AC 2L VS-C10ET07T-M3
- RS-artikelnummer:
- 209-8115
- Tillv. art.nr:
- VS-C10ET07T-M3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
237,44 kr
(exkl. moms)
296,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Håller på att utgå
- Slutlig(a) 925 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 47,488 kr | 237,44 kr |
| 25 - 45 | 40,342 kr | 201,71 kr |
| 50 - 120 | 38,46 kr | 192,30 kr |
| 125 - 245 | 35,616 kr | 178,08 kr |
| 250 + | 32,772 kr | 163,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 209-8115
- Tillv. art.nr:
- VS-C10ET07T-M3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Diode | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Package Type | TO-220AC 2L | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 10A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 650V | |
| Diode Configuration | Single | |
| Series | VSX | |
| Rectifier Type | Schottky | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Diode | ||
Mount Type Through Hole | ||
Package Type TO-220AC 2L | ||
Maximum Continuous Forward Current If 10A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 650V | ||
Diode Configuration Single | ||
Series VSX | ||
Rectifier Type Schottky | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay 650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode with forward Current of 10A.
Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material
Positive VF temperature coefficient for easy paralleling
Virtually no recovery tail and no switching losses
Temperature invariant switching behaviour
175 °C maximum operating junction temperature
MPS structure for high ruggedness to forward current surge events
Relaterade länkar
- Vishay 650 V 10 A Diode Schottky 3-Pin TO-220AC 2L
- Vishay 650 V 6 A Diode Schottky 3-Pin TO-220AC 2L VS-C06ET07T-M3
- Vishay 650 V 8 A Diode Schottky 3-Pin TO-220AC 2L VS-C08ET07T-M3
- Vishay 650 V 20 A Diode Schottky 3-Pin TO-220AC 2L VS-C20ET07T-M3
- Vishay 650 V 6 A Rectifier & Schottky Diode Schottky 3-Pin TO-220AC 2L VS-3C06ET07T-M3
- Vishay 650 V 12 A Rectifier & Schottky Diode Schottky 3-Pin TO-220AC 2L VS-3C12ET07T-M3
- Vishay 650 V 4 A Rectifier & Schottky Diode Schottky 3-Pin TO-220AC 2L VS-3C04ET07T-M3
- Vishay 650 V 8 A Rectifier & Schottky Diode 3-Pin TO-220AC 2L VS-3C08ET07T-M3