DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET, 9.4 A, 20 V Enhancement, 6-Pin UDFN DMN2022UFDF-7
- RS-artikelnummer:
- 921-1063
- Tillv. art.nr:
- DMN2022UFDF-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 50 enheter)*
189,30 kr
(exkl. moms)
236,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 09 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 3,786 kr | 189,30 kr |
| 500 - 1200 | 2,121 kr | 106,05 kr |
| 1250 - 4950 | 1,512 kr | 75,60 kr |
| 5000 + | 1,366 kr | 68,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 921-1063
- Tillv. art.nr:
- DMN2022UFDF-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | DMN | |
| Package Type | UDFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 50mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.7V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.03W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 2.05mm | |
| Height | 0.58mm | |
| Width | 2.05 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 9.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series DMN | ||
Package Type UDFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 50mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.7V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.03W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 2.05mm | ||
Height 0.58mm | ||
Width 2.05 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
relaterade länkar
- DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin UDFN
- DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 6-Pin UDFN DMN1008UFDF-7
- DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 6-Pin UDFN
- DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET 45 V Enhancement, 6-Pin TSOT DMN4060SVT-7
- DiodesZetex 2 Type N-Channel MOSFET 6-Pin UDFN-2020 DMN2053UFDB-7
- DiodesZetex 2 Type N-Channel MOSFET 6-Pin UDFN-2020 DMN10H6D2LFDB-7
- DiodesZetex 2 Type N-Channel MOSFET 6-Pin UDFN-2020 DMN3055LFDBQ-7
- DiodesZetex DMN3042LFDF Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin UDFN
