P-Channel MOSFET, 2.9 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP613PH6327XTSA1

RS-artikelnummer:: 892-2236P
Tillv. art.nr:: BSP613PH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

P-Channel MOSFET, 2.9 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP613PH6327XTSA1

Price Varje (levereras i en rulle)**. Mängder under 150 på kontinuerlig remsa

4,779 kr

(exkl. moms)

5,974 kr

(inkl. moms)

19260 I lager för avsändande samma dag*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet
20 +	4,779 kr

**vägledande pris

RS-artikelnummer:: 892-2236P
Tillv. art.nr:: BSP613PH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

BSP613P, SIPMOS Small-Signal-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	2.9 A
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Package Type	SOT-223
Series	SIPMOS®
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	130 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2.1V
Maximum Power Dissipation	10.8 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Transistor Material	Si
Width	40mm
Typical Gate Charge @ Vgs	22 nC @ 10 V
Length	40mm
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Forward Diode Voltage	1.1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.5mm

P-Channel MOSFET, 2.9 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP613PH6327XTSA1

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs