Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 1.17 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 BSP315PH6327XTSA1

RS-artikelnummer:: 826-9238P
Tillv. art.nr:: BSP315PH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 1.17 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 BSP315PH6327XTSA1

Mängdrabatt möjlig

Price Varje (levereras i en rulle)**. Mängder under 150 på kontinuerlig remsa

5,009 kr

(exkl. moms)

6,261 kr

(inkl. moms)

8900 I lager för avsändande samma dag*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Finns det i lager?

Enheter	Per enhet
100 - 200	5,009 kr
250 - 450	4,682 kr
500 - 1200	4,357 kr
1250 +	4,032 kr

**vägledande pris

RS-artikelnummer:: 826-9238P
Tillv. art.nr:: BSP315PH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

BSP315P SIPMOS Small Signal Transistor Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	1.17 A
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Package Type	SOT-223
Series	SIPMOS®
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	800 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	1.8 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Width	3.5mm
Transistor Material	Si
Length	6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs	5.2 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Height	1.6mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 1.17 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 BSP315PH6327XTSA1

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs