N-Channel MOSFET, 17 A, 250 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB17N25S3100ATMA1

RS-artikelnummer:: 826-9002P
Tillv. art.nr:: IPB17N25S3100ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

N-Channel MOSFET, 17 A, 250 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB17N25S3100ATMA1

Price Varje (levereras i en rulle)**. Mängder under 150 på kontinuerlig remsa

8,441 kr

(exkl. moms)

10,551 kr

(inkl. moms)

820 I lager för avsändande samma dag*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet
20 +	8,441 kr

**vägledande pris

RS-artikelnummer:: 826-9002P
Tillv. art.nr:: IPB17N25S3100ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

IPB17N25S3-100, IPP17N25S3-100, OptiMOS-T Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	17 A
Maximum Drain Source Voltage	250 V
Series	OptiMOS™-T
Package Type	D2PAK (TO-263)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	100 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	107 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Transistor Material	Si
Width	9.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs	14 nC @ 10 V
Length	10mm
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	4.4mm

N-Channel MOSFET, 17 A, 250 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB17N25S3100ATMA1

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Infineon OptiMOS™T Power MOSFETs