N-Channel MOSFET, 42 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC160N10NS3GATMA1

RS-artikelnummer:: 825-9250P
Tillv. art.nr:: BSC160N10NS3GATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

N-Channel MOSFET, 42 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC160N10NS3GATMA1

Price Varje (levereras i en rulle)**. Mängder under 150 på kontinuerlig remsa

12,144 kr

(exkl. moms)

15,18 kr

(inkl. moms)

19900 I lager för avsändande samma dag*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet
10 +	12,144 kr

**price indicative

RS-artikelnummer:: 825-9250P
Tillv. art.nr:: BSC160N10NS3GATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

BSC160N10NS3 G, OptiMOS3 Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	42 A
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Series	OptiMOS™ 3
Package Type	TDSON
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	33 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	60 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs	19 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Length	5.35mm
Number of Elements per Chip	1
Width	6.35mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.1mm

N-Channel MOSFET, 42 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC160N10NS3GATMA1

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

OptiMOS 3 Power-Transistor

Summary of Features

Benefits

Potential Applications