Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 7 A, 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC22DN20NS3GATMA1

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

132,88 kr

(exkl. moms)

166,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 9 980 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +6,644 kr132,88 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
825-9146
Tillv. art.nr:
BSC22DN20NS3GATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

OptiMOS 3

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

225mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

34W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.2nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6.35 mm

Height

1.1mm

Standards/Approvals

No

Length

5.35mm

Automotive Standard

No

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

relaterade länkar