P-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin TSDSON Infineon BSZ086P03NS3GATMA1

RS-artikelnummer:: 825-9130P
Tillv. art.nr:: BSZ086P03NS3GATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

P-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin TSDSON Infineon BSZ086P03NS3GATMA1

Pris (ex. moms) Varje (levereras i en rulle) Mängder under 150 på kontinuerlig remsa

2,974 kr

(exkl. moms)

3,718 kr

(inkl. moms)

10440 I lager för avsändande samma dag*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet
20 +	2,974 kr

RS-artikelnummer:: 825-9130P
Tillv. art.nr:: BSZ086P03NS3GATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

BSZ086P03NS3 G, OptiMOS P3 Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	40 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Series	OptiMOS P
Package Type	TSDSON
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	13.4 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	1.9V
Minimum Gate Threshold Voltage	3.1V
Maximum Power Dissipation	69 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip	1
Transistor Material	Si
Width	3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs	43.2 nC @ 10 V
Length	3.4mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Height	1.1mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

P-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin TSDSON Infineon BSZ086P03NS3GATMA1

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs