Sök efter MPN

DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 260 mA, 30 V Enhancement, 6-Pin SC-88 DMN63D8LDW-7

RS-artikelnummer:: 822-2598
Tillv. art.nr:: DMN63D8LDW-7
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 260 mA, 30 V Enhancement, 6-Pin SC-88 DMN63D8LDW-7

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 100 enheter)*

77,60 kr

(exkl. moms)

97,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 13 april 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
100 - 400	0,776 kr	77,60 kr
500 - 900	0,697 kr	69,70 kr
1000 - 1400	0,507 kr	50,70 kr
1500 - 2900	0,445 kr	44,50 kr
3000 +	0,408 kr	40,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 822-2598
Tillv. art.nr:: DMN63D8LDW-7
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	DiodesZetex
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	260mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SC-88
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	13Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.4nC
	Maximum Power Dissipation Pd	400mW
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Standards/Approvals	UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101
	Length	2.2mm
	Height	1mm
	Width	1.35 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Välj alla
	Brand DiodesZetex
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 260mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SC-88
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 13Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.4nC
	Maximum Power Dissipation Pd 400mW
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Transistor Configuration Isolated
	Standards/Approvals UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101
	Length 2.2mm
	Height 1mm
	Width 1.35 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 260 mA, 30 V Enhancement, 6-Pin SC-88 DMN63D8LDW-7

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

relaterade länkar