Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 7.2 A, 8 A, 40 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4564DY-T1-GE3

RS-artikelnummer:: 812-3230P
Tillv. art.nr:: SI4564DY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 7.2 A, 8 A, 40 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4564DY-T1-GE3

Mängdrabatt möjlig

Price Varje (levereras i en rulle)**. Mängder under 150 på kontinuerlig remsa

11,179 kr

(exkl. moms)

13,974 kr

(inkl. moms)

33670 I lager för avsändande samma dag*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet
100 - 240	10,494 kr
250 - 490	10,06 kr
500 - 990	8,939 kr
1000 +	8,389 kr

RS-artikelnummer:: 812-3230P
Tillv. art.nr:: SI4564DY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Si4564DY, N- and P-Channel 40V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N, P
Maximum Continuous Drain Current	7.2 A, 8 A
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Package Type	SOIC
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	20 mΩ, 28 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	0.8V
Maximum Power Dissipation	3.1 W, 3.2 W
Transistor Configuration	Isolated
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, -16 V, +16 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	5mm
Typical Gate Charge @ Vgs	20.5 nC @ 10 V, 41.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip	2
Width	4mm
Transistor Material	Si
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.55mm

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 7.2 A, 8 A, 40 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4564DY-T1-GE3

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor