Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 7.2 A, 8 A, 40 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4564DY-T1-GE3

RS-artikelnummer:: 812-3230P
Tillv. art.nr:: SI4564DY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 7.2 A, 8 A, 40 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4564DY-T1-GE3

Mängdrabatt möjlig

Price Varje (levereras i en rulle)**. Mängder under 150 på kontinuerlig remsa

11,179 kr

(exkl. moms)

13,974 kr

(inkl. moms)

Det är tyvärr inte möjligt att visa lagerbehållning för närvarande. Uppdatera sidan och försök igen.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Nästa dag-leverans inte möjlig

Enheter	Per enhet
100 - 240	10,494 kr
250 - 490	10,06 kr
500 - 990	8,939 kr
1000 +	8,389 kr

**vägledande pris

RS-artikelnummer:: 812-3230P
Tillv. art.nr:: SI4564DY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Si4564DY, N- and P-Channel 40V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N, P
Maximum Continuous Drain Current	7.2 A, 8 A
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Package Type	SOIC
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	20 mΩ, 28 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	0.8V
Maximum Power Dissipation	3.1 W, 3.2 W
Transistor Configuration	Isolated
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, -16 V, +16 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	5mm
Typical Gate Charge @ Vgs	20.5 nC @ 10 V, 41.5 nC @ 10 V
Width	4mm
Number of Elements per Chip	2
Transistor Material	Si
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.55mm

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 7.2 A, 8 A, 40 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4564DY-T1-GE3

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor