N-Channel MOSFET, 120 A, 300 V, 3-Pin PLUS247 IXYS IXFX120N30P3

RS-artikelnummer:: 802-4492
Tillv. art.nr:: IXFX120N30P3
Tillverkare / varumärke:: IXYS

N-Channel MOSFET, 120 A, 300 V, 3-Pin PLUS247 IXYS IXFX120N30P3

Mängdrabatt möjlig

Pris (ex. moms) Varje

180,84 kr

(exkl. moms)

226,05 kr

(inkl. moms)

Tillfälligt slut i lager – restorder för leverans när den finns i lager*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet
1 - 9	180,84 kr
10 - 49	149,00 kr
50 - 99	137,30 kr
100 - 199	134,12 kr
200 +	130,73 kr

RS-artikelnummer:: 802-4492
Tillv. art.nr:: IXFX120N30P3
Tillverkare / varumärke:: IXYS

IXFK150N30P3, IXFX150N30P3, Polar3 HiPerFET, Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Diode
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	120 A
Maximum Drain Source Voltage	300 V
Package Type	PLUS247
Series	HiperFET, Polar3
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	27 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	5V
Maximum Power Dissipation	1.13 kW
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs	150 nC @ 10 V
Length	16.13mm
Number of Elements per Chip	1
Transistor Material	Si
Width	5.21mm
Height	21.34mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 120 A, 300 V, 3-Pin PLUS247 IXYS IXFX120N30P3

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series