IXYS Type N-Channel MOSFET, 60 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- RS-artikelnummer:
- 802-4382P
- Tillv. art.nr:
- IXFH60N50P3
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Mängdrabatt möjlig
Antal 2 enheter (levereras i ett rör)*
221,98 kr
(exkl. moms)
277,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 18 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 30 enhet(er) från den 20 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 2 - 4 | 110,99 kr |
| 5 - 9 | 107,41 kr |
| 10 - 14 | 105,17 kr |
| 15 + | 100,46 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 802-4382P
- Tillv. art.nr:
- IXFH60N50P3
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 100mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.04kW | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 96nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 16.26mm | |
| Height | 21.46mm | |
| Width | 5.3 mm | |
| Distrelec Product Id | 30253330 | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.04kW | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 96nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 16.26mm | ||
Height 21.46mm | ||
Width 5.3 mm | ||
Distrelec Product Id 30253330 | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS