Nexperia Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 PSMN1R7-60BS,118
- RS-artikelnummer:
- 798-2921
- Tillv. art.nr:
- PSMN1R7-60BS,118
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
89,04 kr
(exkl. moms)
111,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 06 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 6 | 44,52 kr | 89,04 kr |
| 8 - 38 | 42,11 kr | 84,22 kr |
| 40 - 198 | 37,91 kr | 75,82 kr |
| 200 - 398 | 30,185 kr | 60,37 kr |
| 400 + | 28,56 kr | 57,12 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 798-2921
- Tillv. art.nr:
- PSMN1R7-60BS,118
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 137nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 306W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.3mm | |
| Width | 11 mm | |
| Height | 4.5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 137nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 306W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.3mm | ||
Width 11 mm | ||
Height 4.5mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
relaterade länkar
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement118
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Nexperia PSMN3R4-30BLE Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement118
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement118
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R7-25YLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R7-40YLBX
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-263
