N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin TO-247AC Vishay SiHG30N60E-GE3

RS-artikelnummer:: 787-9421P
Tillv. art.nr:: SiHG30N60E-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin TO-247AC Vishay SiHG30N60E-GE3

Price Varje (levereras i en rulle)**. Mängder under 150 på kontinuerlig remsa

87,25 kr

(exkl. moms)

109,06 kr

(inkl. moms)

Tillfälligt slut i lager – restorder för leverans 2025-07-10*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet
1 +	87,25 kr

**vägledande pris

RS-artikelnummer:: 787-9421P
Tillv. art.nr:: SiHG30N60E-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

SiHG30N60E, E Series Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	29 A
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Package Type	TO-247AC
Series	E Series
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	125 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	250 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Width	5.31mm
Typical Gate Charge @ Vgs	85 nC @ 10 V
Length	15.87mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Number of Elements per Chip	1
Transistor Material	Si
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	20.82mm

N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin TO-247AC Vishay SiHG30N60E-GE3

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor

Features