N-Channel MOSFET, 58 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA14DP-T1-GE3

RS-artikelnummer:: 787-9389P
Tillv. art.nr:: SIRA14DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

N-Channel MOSFET, 58 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA14DP-T1-GE3

Pris (ex. moms) Varje (levereras i en rulle) Mängder under 150 på kontinuerlig remsa

2,006 kr

(exkl. moms)

2,508 kr

(inkl. moms)

3000 I lager för avsändande samma dag*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet
10 +	2,006 kr

RS-artikelnummer:: 787-9389P
Tillv. art.nr:: SIRA14DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

SiRA14DP, N-Channel 30V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	58 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Package Type	PowerPAK SO-8
Series	TrenchFET
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	8.5 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1.1V
Maximum Power Dissipation	31.2 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-16 V, +20 V
Transistor Material	Si
Width	5.26mm
Typical Gate Charge @ Vgs	19.4 nC @ 10 V
Length	6.25mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Number of Elements per Chip	1
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.12mm

N-Channel MOSFET, 58 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA14DP-T1-GE3

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor