Toshiba 2SK N-Channel MOSFET, 1 A, 30 V, 3-Pin SC-62 2SK3074(TE12L,F)
- RS-artikelnummer:
- 760-3132
- Tillv. art.nr:
- 2SK3074(TE12L,F)
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
40,37 kr
(exkl. moms)
50,46 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 264 enhet(er) levereras från den 14 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 40,37 kr |
| 10 - 24 | 37,20 kr |
| 25 - 49 | 34,68 kr |
| 50 - 99 | 32,05 kr |
| 100 + | 29,43 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 760-3132
- Tillv. art.nr:
- 2SK3074(TE12L,F)
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 1 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V | |
| Package Type | SC-62 | |
| Series | 2SK | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V | |
| Maximum Power Dissipation | 3 W | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Gate Source Voltage | +25 V | |
| Transistor Material | Si | |
| Width | 2.5mm | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Length | 4.6mm | |
| Height | 1.6mm | |
| Typical Power Gain | 14.9 dB | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current 1 A | ||
Maximum Drain Source Voltage 30 V | ||
Package Type SC-62 | ||
Series 2SK | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Threshold Voltage 2.4V | ||
Maximum Power Dissipation 3 W | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Gate Source Voltage +25 V | ||
Transistor Material Si | ||
Width 2.5mm | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Length 4.6mm | ||
Height 1.6mm | ||
Typical Power Gain 14.9 dB | ||
RF MOSFET Transistors, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
