N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V, 7-Pin D2PAK-7 Infineon IPB025N10N3GATMA1

RS-artikelnummer:: 754-5421P
Tillv. art.nr:: IPB025N10N3GATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V, 7-Pin D2PAK-7 Infineon IPB025N10N3GATMA1

Price Varje (levereras i en rulle)**. Mängder under 150 på kontinuerlig remsa

59,14 kr

(exkl. moms)

73,92 kr

(inkl. moms)

Tillfälligt slut i lager – restorder för leverans när den finns i lager*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet
1 +	59,14 kr

**vägledande pris

RS-artikelnummer:: 754-5421P
Tillv. art.nr:: IPB025N10N3GATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

MOSFET N-ch OptiMOS3 100V 180A TO263-7
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	180 A
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Series	OptiMOS™ 3
Package Type	D2PAK-7
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	7
Maximum Drain Source Resistance	4.4 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	300 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Width	9.45mm
Length	10.31mm
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Transistor Material	Si
Number of Elements per Chip	1
Typical Gate Charge @ Vgs	155 nC @ 10 V
Height	4.57mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V, 7-Pin D2PAK-7 Infineon IPB025N10N3GATMA1

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over