N-Channel MOSFET, 98 A, 120 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC077N12NS3GATMA1

RS-artikelnummer:: 754-5285P
Tillv. art.nr:: BSC077N12NS3GATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

N-Channel MOSFET, 98 A, 120 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC077N12NS3GATMA1

Pris (ex. moms) Varje (levereras i en rulle) Mängder under 150 på kontinuerlig remsa

29,83 kr

(exkl. moms)

37,29 kr

(inkl. moms)

3454 I lager för avsändande samma dag*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet
1 +	29,83 kr

RS-artikelnummer:: 754-5285P
Tillv. art.nr:: BSC077N12NS3GATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	98 A
Maximum Drain Source Voltage	120 V
Series	OptiMOS™ 3
Package Type	TDSON
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	7.7 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	139 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Width	6.1mm
Number of Elements per Chip	1
Typical Gate Charge @ Vgs	66 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Length	5.35mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.1mm

N-Channel MOSFET, 98 A, 120 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC077N12NS3GATMA1

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over