P-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2309CDS-T1-GE3

RS-artikelnummer:: 710-3250P
Tillv. art.nr:: SI2309CDS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

P-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2309CDS-T1-GE3

Price Varje (levereras i en rulle)**. Mängder under 150 på kontinuerlig remsa

4,827 kr

(exkl. moms)

6,034 kr

(inkl. moms)

14330 I lager för avsändande samma dag*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Finns det i lager?

Enheter	Per enhet
10 +	4,827 kr

**vägledande pris

RS-artikelnummer:: 710-3250P
Tillv. art.nr:: SI2309CDS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	1.2 A
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Package Type	SOT-23
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	345 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	1 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	3.04mm
Width	1.4mm
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	2.7 nC @ 4.5 V
Height	1.02mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

P-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2309CDS-T1-GE3

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor