P-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2309CDS-T1-GE3

RS-artikelnummer:: 710-3250P
Tillv. art.nr:: SI2309CDS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

P-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2309CDS-T1-GE3

Price Varje (levereras i en rulle)**. Mängder under 150 på kontinuerlig remsa

4,48 kr

(exkl. moms)

5,60 kr

(inkl. moms)

Det är tyvärr inte möjligt att visa lagerbehållning för närvarande. Uppdatera sidan och försök igen.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Nästa dag-leverans inte möjlig

Enheter	Per enhet
10 +	4,48 kr

**price indicative

RS-artikelnummer:: 710-3250P
Tillv. art.nr:: SI2309CDS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	1.2 A
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Package Type	SOT-23
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	345 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	1 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs	2.7 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Width	1.4mm
Transistor Material	Si
Length	3.04mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.02mm

P-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2309CDS-T1-GE3

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor