P-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2303CDS-T1-GE3

RS-artikelnummer:: 710-3241P
Tillv. art.nr:: SI2303CDS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

P-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2303CDS-T1-GE3

Pris (ex. moms) Varje (levereras i en rulle) Mängder under 150 på kontinuerlig remsa

1,863 kr

(exkl. moms)

2,329 kr

(inkl. moms)

11340 I lager för avsändande samma dag*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet
20 +	1,863 kr

RS-artikelnummer:: 710-3241P
Tillv. art.nr:: SI2303CDS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 1.9A
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	1.9 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Package Type	SOT-23
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	190 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	1 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Length	3.04mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Number of Elements per Chip	1
Typical Gate Charge @ Vgs	2 nC @ 4.5 V, 4 nC @ 10 V
Width	1.4mm
Transistor Material	Si
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.02mm

P-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2303CDS-T1-GE3

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor