onsemi Type N-Channel MOSFET, 3.2 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NTR4501NT1G
- RS-artikelnummer:
- 688-9146
- Tillv. art.nr:
- NTR4501NT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
6,05 kr
(exkl. moms)
7,562 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 336 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 5 274 enhet(er) från den 05 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 58 | 3,025 kr | 6,05 kr |
| 60 - 118 | 2,80 kr | 5,60 kr |
| 120 - 198 | 2,41 kr | 4,82 kr |
| 200 - 498 | 2,295 kr | 4,59 kr |
| 500 + | 2,24 kr | 4,48 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 688-9146
- Tillv. art.nr:
- NTR4501NT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 80mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.25W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.4nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.94mm | |
| Length | 2.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.3 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.25W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.4nC | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.94mm | ||
Length 2.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.3 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
N-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
relaterade länkar
- onsemi Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 FDT86106LZ
- onsemi Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
