N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRFBE30PBF

RS-artikelnummer:: 541-1124P
Tillv. art.nr:: IRFBE30PBF
Tillverkare / varumärke:: Vishay

N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRFBE30PBF

Mängdrabatt möjlig

Pris (ex. moms) Varje (levereras som en tejp)

20,18 kr

(exkl. moms)

25,22 kr

(inkl. moms)

436 I lager för avsändande samma dag*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet
10 - 49	19,62 kr
50 - 99	18,72 kr
100 - 249	17,75 kr
250 +	16,78 kr

RS-artikelnummer:: 541-1124P
Tillv. art.nr:: IRFBE30PBF
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Logga in för att ladda ner CAD-modeller

Attribute	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	4.1 A
Maximum Drain Source Voltage	800 V
Package Type	TO-220AB
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	3 Ω
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	125 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Width	4.7mm
Length	10.41mm
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	78 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	9.01mm

N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRFBE30PBF

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor