STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 3 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP4NK80Z
- RS-artikelnummer:
- 485-7692P
- Tillv. art.nr:
- STP4NK80Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal 10 enheter (levereras i ett rör)*
228,48 kr
(exkl. moms)
285,60 kr
(inkl. moms)
Lägg till 25 enheter för att få fri frakt
I lager
- 450 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 18 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 10 - 20 | 22,848 kr |
| 25 - 95 | 21,616 kr |
| 100 - 495 | 16,80 kr |
| 500 + | 14,156 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 485-7692P
- Tillv. art.nr:
- STP4NK80Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | MDmesh, SuperMESH | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 80W | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 9.15mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.6 mm | |
| Length | 10.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series MDmesh, SuperMESH | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 80W | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 9.15mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.6 mm | ||
Length 10.4mm | ||
Automotive Standard No | ||