Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 173 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

96,33 kr

(exkl. moms)

120,41 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 785 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2019,266 kr96,33 kr
25 - 4516,084 kr80,42 kr
50 - 9514,828 kr74,14 kr
100 - 24513,754 kr68,77 kr
250 +13,508 kr67,54 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-3030
Tillv. art.nr:
IRFS7537TRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

173A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.30mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

142nC

Maximum Power Dissipation Pd

230W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

The Infineon single N-channel HEXFET power MOSFET in a D2-Pak package is optimized for broadest availability from distribution partners.

Product qualification according to JEDEC standard

Softer body diode compared to previous silicon generation

Industry standard surface-mount power package

relaterade länkar