Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 2.8 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

6 332,50 kr

(exkl. moms)

7 915,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 24 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 - 25002,533 kr6 332,50 kr
5000 - 50002,407 kr6 017,50 kr
7500 +2,255 kr5 637,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
262-6763
Tillv. art.nr:
IRFL024NTRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

SOT-223

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.075Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Ultra low on-resistance

Dynamic dv/dt rating

Fasts switching

Fully avalanche rated

relaterade länkar