Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 26 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFI4227PBF

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

77,29 kr

(exkl. moms)

96,612 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 31 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1838,645 kr77,29 kr
20 - 4835,055 kr70,11 kr
50 - 9832,815 kr65,63 kr
100 - 19830,52 kr61,04 kr
200 +28,17 kr56,34 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
262-6757
Tillv. art.nr:
IRFI4227PBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

26A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

HEXFET

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.036Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-41-674

The Infineon power MOSFET is specifically designed for sustain energy recovery and pass switch applications in plasma display panels. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area and low EPULSE rating.

150 degree Celsius operating junction temperature

High repetitive peak current capability

relaterade länkar