Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V N, 3-Pin TO-252 IPD122N10N3GATMA1

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

28,11 kr

(exkl. moms)

35,138 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 308 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1814,055 kr28,11 kr
20 - 4812,655 kr25,31 kr
50 - 9811,705 kr23,41 kr
100 - 19810,92 kr21,84 kr
200 +10,135 kr20,27 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3833
Tillv. art.nr:
IPD122N10N3GATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

59A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.2mΩ

Channel Mode

N

Maximum Power Dissipation Pd

94W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, IEC 61249-2-21

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM.

Excellent switching performance

Less paralleling required

Smallest board-space consumption

Easy-to-design products

relaterade länkar