Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.4 A, 20 V PQFN IRLHS6276TRPBF

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

57,68 kr

(exkl. moms)

72,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 3 570 enhet(er) från den 19 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 905,768 kr57,68 kr
100 - 2405,488 kr54,88 kr
250 - 4904,906 kr49,06 kr
500 - 9903,472 kr34,72 kr
1000 +2,822 kr28,22 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
257-5826
Tillv. art.nr:
IRLHS6276TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

HEXFET

Package Type

PQFN

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

65mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±12 V

Maximum Power Dissipation Pd

9.6W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.1nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Width

2 mm

Automotive Standard

No

The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Industry standard surface-mount power package

Low RDS(on) in a small package

relaterade länkar