Vishay Type N-Channel MOSFET, 25 A, 30 V PowerPAK SO-8 SIRA12DP-T1-GE3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

33,82 kr

(exkl. moms)

42,275 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 985 enhet(er) från den 26 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 456,764 kr33,82 kr
50 - 956,07 kr30,35 kr
100 - 2454,726 kr23,63 kr
250 - 9954,66 kr23,30 kr
1000 +3,584 kr17,92 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
256-7431
Tillv. art.nr:
SIRA12DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0095Ω

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay Semiconductor N-channel 30 V 25A (Tc) 4.5W (Ta), 31W (Tc) surface mount iTime is halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition and its applications are high power density DC, DC, synchronous rectification, VRMs and embedded DC, DC.

TrenchFET gen IV power mosfet

100 % Rg and UIS tested

Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

relaterade länkar