Texas Instruments Type N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V Enhancement TO-263 CSD19532KTT
- RS-artikelnummer:
- 252-8488
- Tillv. art.nr:
- CSD19532KTT
- Tillverkare / varumärke:
- Texas Instruments
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
174,72 kr
(exkl. moms)
218,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 890 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 34,944 kr | 174,72 kr |
| 25 - 45 | 33,22 kr | 166,10 kr |
| 50 - 120 | 29,836 kr | 149,18 kr |
| 125 - 245 | 26,88 kr | 134,40 kr |
| 250 + | 25,536 kr | 127,68 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 252-8488
- Tillv. art.nr:
- CSD19532KTT
- Tillverkare / varumärke:
- Texas Instruments
Specifikationer
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Texas Instruments | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 200A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 12.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.9W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Texas Instruments | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 200A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 12.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.9W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
relaterade länkar
- Texas Instruments Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement TO-263
- Texas Instruments Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement TO-263 CSD19532KTTT
- Texas Instruments Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Texas Instruments Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 CSD18536KTTT
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 CSD19536KTTT
- Texas Instruments Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement PICOSTAR
- Texas Instruments Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement VSONP