Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 400 A, 800 V, 8-Pin TO-263 IPT012N08N5ATMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

67,25 kr

(exkl. moms)

84,06 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 025 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 967,25 kr
10 - 2463,95 kr
25 - 4961,26 kr
50 - 9958,58 kr
100 +54,43 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
244-0902
Tillv. art.nr:
IPT012N08N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

400A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-263

Series

IPT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.2mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon’s OptiMOS power MOSFET in TO-Leadless package is optimized for high current applications up to 300 A, such as forklifts, light electric vehicles (LEV), power tools, point-of-loads (POL), telecom and e-fuses. Furthermore, the 60 percent smaller package size enables a very compact design.

N-channel, normal level

100% avalanche tested

Pb-free plating

RoHS compliant

relaterade länkar