Infineon ISP Type P-Channel MOSFET, 2.8 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-223

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

3 234,00 kr

(exkl. moms)

4 042,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 26 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 - 10003,234 kr3 234,00 kr
2000 - 20003,073 kr3 073,00 kr
3000 +2,943 kr2 943,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
243-9269
Tillv. art.nr:
ISP12DP06NMXTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

2.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-223

Series

ISP

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon P-Channel small signal transistor have Pb-free lead plating. The drain current and drain-source voltage of MOSFET is -2.8 A and -60V respectively. It has very low resistance value. The operating temperature is ranges from -55 °C to 150 °C.

Surface Mount technology

Logic level availability

Easy interface to Microcontroller Unit (MCU)

Fast switching

avalanche ruggedness

relaterade länkar