Renesas Electronics Type N-Channel MOSFET, 40 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-669 RJK0656DPB-00#J5

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

123,54 kr

(exkl. moms)

154,425 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 18 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4524,708 kr123,54 kr
50 - 9521,236 kr106,18 kr
100 - 24518,054 kr90,27 kr
250 - 99517,628 kr88,14 kr
1000 +15,478 kr77,39 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
234-7157
Tillv. art.nr:
RJK0656DPB-00#J5
Tillverkare / varumärke:
Renesas Electronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Renesas Electronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-669

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

45W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Renesas Electronics N-channel single power MOSFET suitable for switching and load switch applications. It has high breakdown voltage of 60 V. It is capable of 4.5 V gate drive.

High speed switching

Low drive current

High density mounting

Low on-resistance

Pb-free

Halogen-free

relaterade länkar