Renesas Electronics Type N-Channel MOSFET, 25 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-669 RJK0651DPB-00#J5

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

76,14 kr

(exkl. moms)

95,175 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 985 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4515,228 kr76,14 kr
50 - 9513,014 kr65,07 kr
100 - 24511,178 kr55,89 kr
250 - 99510,908 kr54,54 kr
1000 +9,676 kr48,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
234-7155
Tillv. art.nr:
RJK0651DPB-00#J5
Tillverkare / varumärke:
Renesas Electronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Renesas Electronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-669

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

14mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Power Dissipation Pd

45W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Renesas Electronics N-channel single power MOSFET suitable for switching and load switch applications. It has high breakdown voltage of 60 V. It is capable of 4.5 V gate drive.

High speed switching

Low drive current

High density mounting

Low on-resistance

Pb-free

Halogen-free

relaterade länkar