Infineon IMZ1 Type N-Channel MOSFET, 26 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 IMZ120R090M1HXKSA1

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

94,71 kr

(exkl. moms)

118,39 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 599 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 994,71 kr
10 - 2489,94 kr
25 - 4986,02 kr
50 - 9982,32 kr
100 +76,72 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4867
Tillv. art.nr:
IMZ120R090M1HXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

26A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-247

Series

IMZ1

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon CoolSiC 1200 V, 90 mΩ SiC MOSFET in TO247-4 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability. In comparison to traditional silicon (Si) based switches like IGBTs and MOSFETs, the SiC MOSFET offers a series of advantages.

Best in class switching and conduction losses

Benchmark high threshold voltage, Vth > 4 V

0V turn-off gate voltage for easy and simple gate drive

Wide gate-source voltage range

Robust and low loss body diode rated for hard commutation

relaterade länkar