Vishay SiSHA10DN Type N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS-artikelnummer:
- 188-5146P
- Tillv. art.nr:
- SISHA10DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal 25 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
212,125 kr
(exkl. moms)
265,15 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 14 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 25 + | 8,485 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-5146P
- Tillv. art.nr:
- SISHA10DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PowerPAK 1212 | |
| Series | SiSHA10DN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 34nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 39W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 3.3 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.3mm | |
| Height | 0.93mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PowerPAK 1212 | ||
Series SiSHA10DN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 39W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 3.3 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.3mm | ||
Height 0.93mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
