Sök efter MPN

onsemi BVSS13L Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BVSS138LT1G

RS-artikelnummer:: 184-4709
Tillv. art.nr:: BVSS138LT1G
Tillverkare / varumärke:: onsemi

onsemi BVSS13L Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BVSS138LT1G

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 100 enheter)*

73,10 kr

(exkl. moms)

91,40 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

Dessutom levereras 26 500 enhet(er) från den 26 december 2025

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
100 - 400	0,731 kr	73,10 kr
500 - 900	0,63 kr	63,00 kr
1000 +	0,547 kr	54,70 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 184-4709
Tillv. art.nr:: BVSS138LT1G
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	200mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	50V
	Series	BVSS13L
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	225mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1.4 mm
	Length	3.04mm
	Height	1.01mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Välj alla
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 200mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 50V
	Series BVSS13L
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 225mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1.4 mm
	Length 3.04mm
	Height 1.01mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet BVSS138LT1G

COO (Country of Origin):: CN

Automotive Power MOSFET ideal for low power applications. 50V, 200mA, 3.5 Ohm, Single N-Channel, SOT-23, Logic Level, Pb−Free. PPAP capable suitable for automotive applications.

Low Threshold Voltage (VGS(th): 0.5 V-1.5 V)

Miniature Surface Mount Package

Easy to drive it with low voltages

It saves board space

Applications

Low power switch

Digital switch

Any low current automotive application

End Products

Infotainment (Entertainment, multimedia and navigation systems, etc.)

Body Control Modules (BCM, fob keys, gateways, LF systems, HVAC, etc.)

Security systems

onsemi BVSS13L Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BVSS138LT1G

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

relaterade länkar