Sök efter MPN

onsemi Dual 2 Type N-Channel Small Signal, 540 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563 NTZD3154NT1G

RS-artikelnummer:: 184-1406
Tillv. art.nr:: NTZD3154NT1G
Tillverkare / varumärke:: onsemi

onsemi Dual 2 Type N-Channel Small Signal, 540 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563 NTZD3154NT1G

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 100 enheter)*

111,20 kr

(exkl. moms)

139,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

4 600 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
100 - 400	1,112 kr	111,20 kr
500 - 900	0,958 kr	95,80 kr
1000 +	0,83 kr	83,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 184-1406
Tillv. art.nr:: NTZD3154NT1G
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	Small Signal
	Maximum Continuous Drain Current Id	540mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SOT-563
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	900mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Forward Voltage Vf	0.7V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.5nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	7 V
	Maximum Power Dissipation Pd	250mW
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Length	1.7mm
	Height	0.6mm
	Standards/Approvals	No
	Width	1.3 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Välj alla
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type Small Signal
	Maximum Continuous Drain Current Id 540mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SOT-563
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 900mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Forward Voltage Vf 0.7V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.5nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 7 V
	Maximum Power Dissipation Pd 250mW
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Length 1.7mm
	Height 0.6mm
	Standards/Approvals No
	Width 1.3 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet NTZD3154NT1G

COO (Country of Origin):: CN

This is a 20 V N-Channel Power MOSFET.

Low RDS(on) Improving System Efficiency

Low Threshold Voltage

Small Footprint 1.6 x 1.6 mm

ESD Protected Gate

Applications:

Load/Power Switches

Power Supply Converter Circuits

Battery Management

onsemi Dual 2 Type N-Channel Small Signal, 540 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563 NTZD3154NT1G

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

relaterade länkar