Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 178-7485
- Tillv. art.nr:
- BSC028N06NSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 5000 enheter)*
62 695,00 kr
(exkl. moms)
78 370,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 19 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 12,539 kr | 62 695,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-7485
- Tillv. art.nr:
- BSC028N06NSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 83W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 5.35 mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Längd | 6.1mm | |
| Standarder/godkännanden | Pb Free, Halogen Free (IEC61249-2-21), JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximal effektförlust Pd 83W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 5.35 mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Längd 6.1mm | ||
Standarder/godkännanden Pb Free, Halogen Free (IEC61249-2-21), JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Undantagen
Infineon OptiMOS™ 5 Series MOSFET, 137A Maximum Continuous Drain Current, 100W Maximum Power Dissipation - BSC028N06NSATMA1
This high-power MOSFET is suitable for applications where efficiency and reliability are essential. With a maximum continuous drain current of 137A and a breakdown voltage of 60V, it is well-suited for power management systems, making it an excellent choice for professionals in automation and electronics. Its enhanced gate threshold voltage range promotes precise switching performance, ensuring effective operation in various environments.
Features & Benefits
• Supports high-power applications with a maximum power dissipation of 100W
• Low RDS(on) of 4.2mΩ for improved efficiency
• N-channel configuration for enhanced performance
• TDSON package for effective thermal management
• Minimum operating temperature of -55°C, ideal for extreme conditions
• Avalanche rated for durability under transient conditions
Applications
• Utilised in synchronous rectification circuits for power supplies
• Suitable for electric vehicles and industrial automation
• Applied in switch-mode power supplies for effective energy conversion
• Used in UPS systems for dependable power backup solutions
• Appropriate for DC-DC converters and inverters in renewable energy systems
What is the suitable temperature range for operation?
It operates effectively within a temperature range of -55°C to +150°C, accommodating diverse environmental conditions.
How does this component handle thermal management?
The device's TDSON package optimises thermal resistance, ensuring efficient heat dissipation during operation.
What gate voltage is required for optimal performance?
The maximum gate-source voltage is ±20V, while the gate threshold voltage ranges from 2.1V to 3.3V, facilitating effective drive conditions.
Can it be used in high-frequency switching applications?
Yes, it is designed with dynamic characteristics that support high-frequency switching, making it suitable for modern electronic designs.
What safeguards are in place against electrical overstress?
It is validated for industrial applications and fully avalanche tested, providing assurance against transient surges in electrical demand.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 100 A 60 V Förbättring TDSON, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 46 A 60 V Förbättring TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 50 A 60 V Förbättring TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal 40 A 60 V Förbättring TDSON, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 137 A 60 V Förbättring TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 100 A 60 V Förbättring TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal 20 A 60 V Förbättring TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal 60 A 100 V Förbättring TDSON, OptiMOS-TM5
